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阮湘平公使級参事官,名古屋大学視察
2016/12/01
 

    11月18日、駐日大使館科学技術処の阮湘平公使級参事官一行が名古屋大学を訪れ、中日政府間科学技術協力プロジェクトの状況を視察した。

    天野浩教授が今年の中日政府間共同研究プロジェクト「窒素化合物半導体をベースにした高性能深紫外半導体レーザーの研究」の状況について説明した。このプロジェクトは従来の紫外線光源に代わる窒素化合物半導体をベースにした深紫外レーザーデバイスを研究開発するもので、これには環境保護、省エネ、小体積、高効率、長寿命などの長所がある。

    阮公使級参事官は次のように述べた。中国は科学技術の国際協力を非常に重視しており、国際科学技術協力特別プロジェクトを設けた。ノーベル賞を受賞した天野教授の参加と協力は、中日科学技術協力の水準が明らかに引き上げられたことを物語っている。名古屋大学と鄭州大学が先頭に立ってこのプロジェクトを引っ張り、双方の強みを生かして、高水準の成果を収めることを希望している。

    天野浩教授は青色発光ダイオード即ち、青色LEDの発明で2014年にノーベル物理学賞を獲得している。名古屋大学の渡辺芳人副学長は阮公使級参事官一行と会見するとともに、同校の中国との交流・協力状況について説明した。名古屋総領事館の李穎・科学技術担当領事が視察に参加した。

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